Продукція > ONSEMI > NVMFWS0D7N04XMT1G
NVMFWS0D7N04XMT1G

NVMFWS0D7N04XMT1G onsemi

nvmfws0d7n04xm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.46 грн
10+159.88 грн
100+111.55 грн
500+85.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS0D7N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NVMFWS0D7N04XMT1G за ціною від 66.26 грн до 216.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS0D7N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d7n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 22808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.94 грн
10+139.63 грн
100+83.95 грн
500+70.77 грн
1000+68.62 грн
1500+66.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1G NVMFWS0D7N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d7n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 331A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4657 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS0D7N04XMT1G Виробник : ONSEMI nvmfws0d7n04xm-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 323A; Idm: 900A; 134W; DFNW5
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 71.6nC
Power dissipation: 134W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 323A
Pulsed drain current: 900A
On-state resistance: 0.7mΩ
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.