| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 192.61 грн |
| 10+ | 119.66 грн |
| 100+ | 82.08 грн |
| 500+ | 61.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFWS1D1N04XMT1G onsemi
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 233A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm.
Інші пропозиції NVMFWS1D1N04XMT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMFWS1D1N04XMT1G | onsemi |
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE |
на замовлення 5721 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NVMFWS1D1N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 233A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V Verlustleistung: 104W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
NVMFWS1D1N04XMT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: Lead (25-Jun-2025) rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NVMFWS1D1N04XMT1G | ONN |
|
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
MOSFETs 40V T10M IN S08FL PACKAGE
на замовлення 5721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 233A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - NVMFWS1D1N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 233 A, 1050 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NVMFWS1D1N04XMT1G |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)




