Продукція > ONSEMI > NVMFWS1D5N08XT1G
NVMFWS1D5N08XT1G

NVMFWS1D5N08XT1G onsemi

nvmfws1d5n08x-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.04 грн
10+189.73 грн
100+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS1D5N08XT1G onsemi

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS1D5N08XT1G за ціною від 113.79 грн до 336.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS1D5N08XT1G NVMFWS1D5N08XT1G Виробник : onsemi nvmfws1d5n08x-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 253 A, 1.5 mohm
на замовлення 1262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.78 грн
10+217.80 грн
100+163.43 грн
500+125.24 грн
1000+118.37 грн
1500+114.55 грн
3000+113.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1G NVMFWS1D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfws1d5n08x-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 253A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1G NVMFWS1D5N08XT1G Виробник : onsemi nvmfws1d5n08x-d.pdf Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.