Продукція > ONSEMI > NVMFWS1D5N08XT1G
NVMFWS1D5N08XT1G

NVMFWS1D5N08XT1G onsemi

NVMFWS1D5N08X_D-3450221.pdf Виробник: onsemi
MOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE WF
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.06 грн
10+209.82 грн
25+172.15 грн
100+147.87 грн
250+139.78 грн
500+131.69 грн
1000+112.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS1D5N08XT1G onsemi

Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 194W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS1D5N08XT1G за ціною від 106.25 грн до 307.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS1D5N08XT1G NVMFWS1D5N08XT1G Виробник : onsemi nvmfws1d5n08x-d.pdf Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+307.18 грн
10+195.26 грн
100+137.80 грн
500+106.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1G NVMFWS1D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfws1d5n08x-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 253A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1G Виробник : ONSEMI nvmfws1d5n08x-d.pdf NVMFWS1D5N08XT1G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS1D5N08XT1G NVMFWS1D5N08XT1G Виробник : onsemi nvmfws1d5n08x-d.pdf Description: T10S 80V SG NCH MOSFET SO8FL HE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.