Продукція > ONSEMI > NVMFWS2D1N08XT1G
NVMFWS2D1N08XT1G

NVMFWS2D1N08XT1G onsemi

nvmfws2d1n08x-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+82.79 грн
3000+77.66 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS2D1N08XT1G onsemi

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V, Power Dissipation (Max): 148W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS2D1N08XT1G за ціною від 87.80 грн до 252.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS2D1N08XT1G NVMFWS2D1N08XT1G Виробник : onsemi nvmfws2d1n08x-d.pdf MOSFETs T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PREMIER WF
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.02 грн
10+186.48 грн
100+128.14 грн
250+118.65 грн
500+108.37 грн
1000+92.55 грн
1500+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1G NVMFWS2D1N08XT1G Виробник : onsemi nvmfws2d1n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 181A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 148W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 213µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.42 грн
10+158.28 грн
100+110.22 грн
500+89.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D1N08XT1G Виробник : ONSEMI nvmfws2d1n08x-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 181A; Idm: 761A; 148W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 2.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 148W
Drain current: 181A
Pulsed drain current: 761A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.