Продукція > ONSEMI > NVMFWS2D3N04XMT1G

NVMFWS2D3N04XMT1G onsemi

Name: NVMFWS2D3N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 34053046-4
Price: 360.48 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40 V, 121A, 2.35 mohm

на замовлення 1393 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
4+	90.12 грн
10+	72.76 грн
100+	49.29 грн
500+	41.71 грн
1000+	34.06 грн
1500+	31.93 грн
3000+	30.38 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVMFWS2D3N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS2D3N04XMT1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVMFWS2D3N04XMT1G	Виробник : ONSEMI	NVMFWS2D3N04XMT1G SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMFWS2D3N04XMT1G	Виробник : onsemi	Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMFWS2D3N04XMT1G	Виробник : onsemi	Description: 40V T10M IN S08FL PACKAGE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 121A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.