Продукція > ONSEMI > NVMFWS2D3P04M8LT1G
NVMFWS2D3P04M8LT1G

NVMFWS2D3P04M8LT1G onsemi

nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+110.53 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS2D3P04M8LT1G onsemi

Description: MV8 P INITIAL PROGRAM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS2D3P04M8LT1G за ціною від 116.32 грн до 329.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS2D3P04M8LT1G NVMFWS2D3P04M8LT1G Виробник : onsemi nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Description: MV8 P INITIAL PROGRAM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 222A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5985 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.98 грн
10+200.05 грн
100+141.51 грн
500+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1G Виробник : onsemi NVMFS2D3P04M8L_D-3006659.pdf MOSFETs MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.96 грн
10+221.20 грн
25+191.59 грн
100+137.61 грн
500+116.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Power MOSFET, Single P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 31A 5-Pin SO-FL EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS2D3P04M8LT1G Виробник : ONSEMI nvmfs2d3p04m8l-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -222A
Pulsed drain current: -900A
Power dissipation: 103W
Case: DFNW5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 157nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.