Продукція > ONSEMI > NVMFWS3D6N10MCLT1G
NVMFWS3D6N10MCLT1G

NVMFWS3D6N10MCLT1G onsemi

nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.96 грн
10+164.83 грн
100+144.89 грн
500+126.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS3D6N10MCLT1G onsemi

Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS3D6N10MCLT1G за ціною від 112.26 грн до 176.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS3D6N10MCLT1G NVMFWS3D6N10MCLT1G Виробник : onsemi NVMFS3D6N10MCL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100 V, 131 A, 3.6mohm
на замовлення 11698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.41 грн
10+172.13 грн
100+122.19 грн
500+114.55 грн
1000+112.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Single N Channel Power MOSFET 100 V, 131 A, 3.6m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS3D6N10MCLT1G NVMFWS3D6N10MCLT1G Виробник : onsemi nvmfs3d6n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 270µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4411 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.