Продукція > ONSEMI > NVMFWS4D0N04XMT1G
NVMFWS4D0N04XMT1G

NVMFWS4D0N04XMT1G onsemi

nvmfws4d0n04xm-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+30.57 грн
3000+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS4D0N04XMT1G onsemi

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS4D0N04XMT1G за ціною від 30.08 грн до 65.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMFWS4D0N04XMT1G NVMFWS4D0N04XMT1G onsemi nvmfws4d0n04xm-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.24 грн
10+45.10 грн
25+40.68 грн
100+33.59 грн
250+31.40 грн
500+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1G NVMFWS4D0N04XMT1G onsemi nvmfws4d0n04xm-d.pdf MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1G NVMFWS4D0N04XMT1G ONSEMI nvmfws4d0n04xm-d.pdf Description: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1G nvmfws4d0n04xm-d.pdf
NVMFWS4D0N04XMT1G
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.24 грн
10+45.10 грн
25+40.68 грн
100+33.59 грн
250+31.40 грн
500+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1G nvmfws4d0n04xm-d.pdf
NVMFWS4D0N04XMT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
на замовлення 2758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1G nvmfws4d0n04xm-d.pdf
NVMFWS4D0N04XMT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFWS4D0N04XMT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3900 µohm, WFDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: WFDFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.