Продукція > ONSEMI > NVMFWS4D0N04XMT1G
NVMFWS4D0N04XMT1G

NVMFWS4D0N04XMT1G onsemi

nvmfws4d0n04xm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1500+31.08 грн
3000+29.08 грн
4500+28.66 грн
7500+26.45 грн
10500+26.20 грн
15000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 1500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS4D0N04XMT1G onsemi

Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS4D0N04XMT1G за ціною від 29.71 грн до 127.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFWS4D0N04XMT1G NVMFWS4D0N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws4d0n04xm-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.17 грн
10+44.66 грн
25+40.24 грн
100+33.20 грн
250+31.02 грн
500+29.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFWS4D0N04XMT1G NVMFWS4D0N04XMT1G Виробник : onsemi onsemi_02-27-2025_NVMFWS4D0N04XM-D.pdf MOSFETs 40V T10M IN SO8FL PACKAGE
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.35 грн
10+79.78 грн
100+45.72 грн
500+36.15 грн
1000+33.70 грн
1500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.