NVMJS0D9N04CLTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 209.33 грн |
| 10+ | 138.13 грн |
| 100+ | 99.95 грн |
| 500+ | 78.01 грн |
| 1000+ | 75.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMJS0D9N04CLTWG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 50A/330A 8LFPAK, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8862 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 190µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.82mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 330A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMJS0D9N04CLTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMJS0D9N04CLTWG | ONN |
|
на замовлення 2920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMJS0D9N04CLTWG |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)


