Продукція > ONSEMI > NVMJS1D3N04CTWG
NVMJS1D3N04CTWG

NVMJS1D3N04CTWG onsemi

nvmjs1d3n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJS1D3N04CTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMJS1D3N04CTWG за ціною від 65.19 грн до 196.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG onsemi nvmjs1d3n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+196.21 грн
10+122.28 грн
100+84.28 грн
500+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG ON Semiconductor NVMJS1D3N04C_D-2319734.pdf MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG nvmjs1d3n04c-d.pdf
NVMJS1D3N04CTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 235A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.21 грн
10+122.28 грн
100+84.28 грн
500+65.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04C_D-2319734.pdf
NVMJS1D3N04CTWG
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.