Продукція > ONSEMI > NVMJS1D3N04CTWG
NVMJS1D3N04CTWG

NVMJS1D3N04CTWG ONSEMI

Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 128W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJS1D3N04CTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 235A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 128W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 128W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVMJS1D3N04CTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG Виробник : ONSEMI Description: ONSEMI - NVMJS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 235 A, 0.0011 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 235A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 128W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG Виробник : ON Semiconductor NVMJS1D3N04C_D-2319734.pdf MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG Виробник : ONSEMI NVMJS1D3N04CTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG Виробник : ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D3N04CTWG NVMJS1D3N04CTWG Виробник : ON Semiconductor Description: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.