Продукція > ONSEMI > NVMJS1D4N06CLTWG

NVMJS1D4N06CLTWG onsemi

Name: NVMJS1D4N06CLTWG
Brand: onsemi
SKU: 23489410-3
Price: 538.98 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	269.49 грн
10+	170.31 грн
100+	119.40 грн
500+	99.45 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVMJS1D4N06CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMJS1D4N06CLTWG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVMJS1D4N06CLTWG	Виробник : ON Semiconductor	Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMJS1D4N06CLTWG	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA Supplier Device Package: 8-LFPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMJS1D4N06CLTWG	Виробник : onsemi	MOSFET T6 60V LL LFPAK	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMJS1D4N06CLTWG	Виробник : ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 262A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 90W Case: LFPAK8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 103nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.