Продукція > ONSEMI > NVMJS1D5N04CLTWG
NVMJS1D5N04CLTWG

NVMJS1D5N04CLTWG ONSEMI

2850037.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.18 грн
500+51.07 грн
1000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJS1D5N04CLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMJS1D5N04CLTWG за ціною від 43.61 грн до 131.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG Виробник : ONSEMI 2850037.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0012 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.90 грн
10+104.56 грн
100+74.18 грн
500+51.07 грн
1000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG Виробник : onsemi NVMJS1D5N04CL_D-2319530.pdf MOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.86 грн
10+108.03 грн
100+74.86 грн
500+63.19 грн
1000+51.59 грн
3000+49.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG Виробник : ON Semiconductor NVMJS1D5N04CL_D-2319530.pdf MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmjs1d5n04cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 38A Automotive 8-Pin LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG Виробник : ONSEMI nvmjs1d5n04cl-d.pdf NVMJS1D5N04CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG Виробник : onsemi nvmjs1d5n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG Виробник : onsemi nvmjs1d5n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.