Продукція > ONSEMI > NVMJS1D5N04CLTWG
NVMJS1D5N04CLTWG

NVMJS1D5N04CLTWG onsemi

nvmjs1d5n04cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+47.32 грн
6000+44.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJS1D5N04CLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 110W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMJS1D5N04CLTWG за ціною від 42.77 грн до 164.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG ONSEMI 2850037.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.98 грн
500+51.19 грн
1000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG onsemi NVMJS1D5N04CL-D.PDF MOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.34 грн
10+95.85 грн
100+60.41 грн
500+51.11 грн
1000+45.87 грн
3000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG ONSEMI 2850037.pdf Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.90 грн
10+110.09 грн
100+74.98 грн
500+51.19 грн
1000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG onsemi nvmjs1d5n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.28 грн
10+101.56 грн
100+69.39 грн
500+52.19 грн
1000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CLTWG ON Semiconductor NVMJS1D5N04CL_D-2319530.pdf MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG ONN nvmjs1d5n04cl-d.pdf
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG 2850037.pdf
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+74.98 грн
500+51.19 грн
1000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CL-D.PDF
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+121.34 грн
10+95.85 грн
100+60.41 грн
500+51.11 грн
1000+45.87 грн
3000+42.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG 2850037.pdf
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 0.0014 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+155.90 грн
10+110.09 грн
100+74.98 грн
500+51.19 грн
1000+43.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG nvmjs1d5n04cl-d.pdf
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+164.28 грн
10+101.56 грн
100+69.39 грн
500+52.19 грн
1000+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG NVMJS1D5N04CL_D-2319530.pdf
NVMJS1D5N04CLTWG
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJS1D5N04CLTWG nvmjs1d5n04cl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.