Продукція > ONSEMI > NVMJST0D9N04CTXG
NVMJST0D9N04CTXG

NVMJST0D9N04CTXG onsemi

nvmjst0d9n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+325.89 грн
10+203.34 грн
25+174.64 грн
100+133.46 грн
250+118.50 грн
500+109.30 грн
1000+100.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJST0D9N04CTXG onsemi

Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA, Power Dissipation (Max): 555W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції NVMJST0D9N04CTXG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJST0D9N04CTXG NVMJST0D9N04CTXG onsemi nvmjst0d9n04c-d.pdf Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXG NVMJST0D9N04CTXG onsemi nvmjst0d9n04c-d.pdf MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXG nvmjst0d9n04c-d.pdf
NVMJST0D9N04CTXG
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 190µA
Power Dissipation (Max): 555W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.07mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 531A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST0D9N04CTXG nvmjst0d9n04c-d.pdf
NVMJST0D9N04CTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.