Продукція > ONSEMI > NVMJST1D3N04CTXG

NVMJST1D3N04CTXG onsemi


nvmjst1d3n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+87.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJST1D3N04CTXG onsemi

Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції NVMJST1D3N04CTXG за ціною від 80.15 грн до 269.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVMJST1D3N04CTXG NVMJST1D3N04CTXG onsemi nvmjst1d3n04c-d.pdf Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.07 грн
10+166.85 грн
25+142.74 грн
100+108.31 грн
250+95.72 грн
500+87.97 грн
1000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXG NVMJST1D3N04CTXG onsemi nvmjst1d3n04c-d.pdf MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXG nvmjst1d3n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 386A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.39mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 170µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+269.07 грн
10+166.85 грн
25+142.74 грн
100+108.31 грн
250+95.72 грн
500+87.97 грн
1000+80.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D3N04CTXG nvmjst1d3n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.