Продукція > ONSEMI > NVMJST1D4N06CLTXG

NVMJST1D4N06CLTXG onsemi

Name: NVMJST1D4N06CLTXG
Brand: onsemi
SKU: 27362745-4
Price: 472.64 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package

на замовлення 4584 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	236.32 грн
10+	195.81 грн
25+	160.73 грн
100+	137.97 грн
250+	130.64 грн
500+	122.56 грн
1000+	111.55 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVMJST1D4N06CLTXG onsemi

Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMJST1D4N06CLTXG

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVMJST1D4N06CLTXG	Виробник : ON Semiconductor	TRENCH 6 60V LFPAK 5x7	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMJST1D4N06CLTXG	Виробник : ONSEMI	NVMJST1D4N06CLTXG SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMJST1D4N06CLTXG	Виробник : onsemi	Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 10-TCPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVMJST1D4N06CLTXG	Виробник : onsemi	Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 10-TCPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.