Продукція > ONSEMI > NVMJST1D4N06CLTXG
NVMJST1D4N06CLTXG

NVMJST1D4N06CLTXG onsemi

nvmjst1d4n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+97.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJST1D4N06CLTXG onsemi

Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMJST1D4N06CLTXG за ціною від 92.40 грн до 313.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJST1D4N06CLTXG NVMJST1D4N06CLTXG Виробник : onsemi nvmjst1d4n06cl-d.pdf Description: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.18 грн
10+179.38 грн
100+132.33 грн
500+107.31 грн
1000+106.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXG NVMJST1D4N06CLTXG Виробник : onsemi NVMJST1D4N06CL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 198, 1.49 mohm on Top Cool Package
на замовлення 6539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.62 грн
10+201.99 грн
100+129.82 грн
500+115.31 грн
1000+109.21 грн
3000+92.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXG Виробник : ON Semiconductor nvmjst1d4n06cl-d.pdf TRENCH 6 60V LFPAK 5x7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST1D4N06CLTXG Виробник : ONSEMI nvmjst1d4n06cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 92.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.