NVMJST2D1N08XTXG onsemi
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Power Dissipation (Max): 454W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.53 грн |
| 10+ | 151.52 грн |
| 100+ | 105.35 грн |
| 500+ | 80.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMJST2D1N08XTXG onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWERTRENCH T10, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Power Dissipation (Max): 454W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 30A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 334A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V.
Інші пропозиції NVMJST2D1N08XTXG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMJST2D1N08XTXG | onsemi |
MOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMJST2D1N08XTXG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
MOSFETs T10 80V SG TCPAK 5X7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)