Продукція > ONSEMI > NVMJST2D6N08HTXG
NVMJST2D6N08HTXG

NVMJST2D6N08HTXG onsemi

nvmjst2d6n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.30 грн
10+216.36 грн
25+186.05 грн
100+142.47 грн
250+126.67 грн
500+116.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJST2D6N08HTXG onsemi

Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMJST2D6N08HTXG за ціною від 126.20 грн до 390.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJST2D6N08HTXG Виробник : onsemi NVMJST2D6N08H_D-3082564.pdf MOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
на замовлення 2545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.60 грн
10+252.69 грн
25+190.78 грн
100+156.63 грн
250+140.30 грн
500+129.17 грн
1000+126.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXG Виробник : ON Semiconductor nvmjst2d6n08h-d.pdf MOSFET-Power Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXG Виробник : ONSEMI nvmjst2d6n08h-d.pdf NVMJST2D6N08HTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXG NVMJST2D6N08HTXG Виробник : onsemi nvmjst2d6n08h-d.pdf Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.