Продукція > ONSEMI > NVMJST2D6N08HTXG
NVMJST2D6N08HTXG

NVMJST2D6N08HTXG onsemi

nvmjst2d6n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJST2D6N08HTXG onsemi

Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMJST2D6N08HTXG за ціною від 119.61 грн до 268.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJST2D6N08HTXG NVMJST2D6N08HTXG Виробник : onsemi nvmjst2d6n08h-d.pdf Description: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.41 грн
10+178.64 грн
25+163.96 грн
100+138.71 грн
250+131.48 грн
500+127.12 грн
1000+121.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXG Виробник : onsemi NVMJST2D6N08H-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 157A, 2.8 mohm on Top Cool Package
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.43 грн
10+183.11 грн
100+133.33 грн
500+127.23 грн
1000+124.18 грн
3000+119.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXG Виробник : ON Semiconductor nvmjst2d6n08h-d.pdf MOSFET-Power Single N-Channel Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST2D6N08HTXG Виробник : ONSEMI nvmjst2d6n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 58W
Case: TCPAK10
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.