Продукція > ONSEMI > NVMJST3D3N04CTXG
NVMJST3D3N04CTXG

NVMJST3D3N04CTXG onsemi

nvmjst3d3n04c-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+128.45 грн
10+90.63 грн
25+82.46 грн
100+68.98 грн
250+64.98 грн
500+62.57 грн
1000+59.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJST3D3N04CTXG onsemi

Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції NVMJST3D3N04CTXG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJST3D3N04CTXG NVMJST3D3N04CTXG onsemi nvmjst3d3n04c-d.pdf Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXG NVMJST3D3N04CTXG onsemi nvmjst3d3n04c-d.pdf MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXG nvmjst3d3n04c-d.pdf
NVMJST3D3N04CTXG
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXG nvmjst3d3n04c-d.pdf
NVMJST3D3N04CTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.