Продукція > ONSEMI > NVMJST3D3N04CTXG
NVMJST3D3N04CTXG

NVMJST3D3N04CTXG onsemi

nvmjst3d3n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJST3D3N04CTXG onsemi

Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: 10-TCPAK, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMJST3D3N04CTXG за ціною від 60.88 грн до 216.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMJST3D3N04CTXG NVMJST3D3N04CTXG Виробник : onsemi nvmjst3d3n04c-d.pdf Description: TRENCH 6 40V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.46 грн
10+132.12 грн
25+112.16 грн
100+84.07 грн
250+73.66 грн
500+67.26 грн
1000+60.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmjst3d3n04c-d.pdf AUTO TRENCH6LFPAK10 PDCU SNGL HPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXG Виробник : ONSEMI nvmjst3d3n04c-d.pdf NVMJST3D3N04CTXG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMJST3D3N04CTXG NVMJST3D3N04CTXG Виробник : onsemi nvmjst3d3n04c-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 102A, 3.3 mohm on Top Cool Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.