| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.31 грн |
| 10+ | 58.85 грн |
| 100+ | 42.99 грн |
| 500+ | 35.88 грн |
| 1000+ | 32.56 грн |
| 2500+ | 29.32 грн |
| 5000+ | 28.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMS5P02R2G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMS5P02R2G за ціною від 37.76 грн до 91.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMS5P02R2G | onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOICInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVMS5P02R2G | ONN |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMS5P02R2G |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.98 грн |
| 10+ | 79.10 грн |
| 100+ | 61.70 грн |
| 500+ | 47.83 грн |
| 1000+ | 37.76 грн |
| NVMS5P02R2G |
|
Виробник: ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)