NVMS5P02R2G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.29 грн |
| 10+ | 76.79 грн |
| 100+ | 59.89 грн |
| 500+ | 46.43 грн |
| 1000+ | 36.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMS5P02R2G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції NVMS5P02R2G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMS5P02R2G | onsemi |
MOSFETs PFET S08S 20V 5.4A 0.033R |
на замовлення 4723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMS5P02R2G | ONN |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMS5P02R2G |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs PFET S08S 20V 5.4A 0.033R
MOSFETs PFET S08S 20V 5.4A 0.033R
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NVMS5P02R2G |
|
Виробник: ONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)