
NVMTS0D4N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 832.42 грн |
10+ | 555.36 грн |
100+ | 416.40 грн |
500+ | 370.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMTS0D4N04CTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMTS0D4N04CTXG за ціною від 542.93 грн до 971.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 908-917 дні (днів) |
|
||||||||||
NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |