Продукція > ONSEMI > NVMTS0D4N04CTXG
NVMTS0D4N04CTXG

NVMTS0D4N04CTXG onsemi

nvmts0d4n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+830.41 грн
10+554.02 грн
100+415.39 грн
500+369.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D4N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS0D4N04CTXG за ціною від 541.62 грн до 969.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS0D4N04CTXG NVMTS0D4N04CTXG Виробник : onsemi NVMTS0D4N04C_D-1664489.pdf MOSFET AFSM T6 40V SG NCH
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 908-917 дні (днів)
Кількість Ціна
1+969.25 грн
10+863.41 грн
100+621.62 грн
500+541.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXG Виробник : ONSEMI nvmts0d4n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+575.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d4n04c-d.pdf
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXG NVMTS0D4N04CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d4n04c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 78.9A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D4N04CTXG NVMTS0D4N04CTXG Виробник : onsemi nvmts0d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.