на замовлення 6000 шт:
термін постачання 908-917 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 879.48 грн |
| 10+ | 783.44 грн |
| 100+ | 564.05 грн |
| 500+ | 491.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMTS0D4N04CTXG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMTS0D4N04CTXG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
 |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 78.9A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R |
товар відсутній |
|
 |
NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|
|
|
NVMTS0D4N04CTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 79.8A/558A 8DFNW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 79.8A (Ta), 558A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.45mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 251 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16500 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |