Продукція > ONSEMI > NVMTS0D6N04CLTXG
NVMTS0D6N04CLTXG

NVMTS0D6N04CLTXG onsemi

nvmts0d6n04cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+302.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D6N04CLTXG onsemi

Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NVMTS0D6N04CLTXG за ціною від 288.33 грн до 700.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG onsemi nvmts0d6n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.55 грн
10+401.04 грн
100+333.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG onsemi nvmts0d6n04cl-d.pdf MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+700.68 грн
10+473.92 грн
100+308.73 грн
1000+288.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG ONN nvmts0d6n04cl-d.pdf
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG nvmts0d6n04cl-d.pdf
NVMTS0D6N04CLTXG
Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+577.55 грн
10+401.04 грн
100+333.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG nvmts0d6n04cl-d.pdf
NVMTS0D6N04CLTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.68 грн
10+473.92 грн
100+308.73 грн
1000+288.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG nvmts0d6n04cl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.