NVMTS0D6N04CLTXG onsemi
Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 667.03 грн |
| 10+ | 440.19 грн |
| 100+ | 330.24 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMTS0D6N04CLTXG onsemi
Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMTS0D6N04CLTXG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMTS0D6N04CLTXG | onsemi |
MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION |
на замовлення 4385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMTS0D6N04CLTXG |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
MOSFETs T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)