Продукція > ONSEMI > NVMTS0D6N04CLTXG
NVMTS0D6N04CLTXG

NVMTS0D6N04CLTXG onsemi

nvmts0d6n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+315.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D6N04CLTXG onsemi

Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS0D6N04CLTXG за ціною від 298.60 грн до 639.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : onsemi nvmts0d6n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.05 грн
10+418.75 грн
100+348.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : onsemi NVMTS0D6N04CL-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 469A, 0.42mohm
на замовлення 4660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.70 грн
10+454.92 грн
100+335.25 грн
1000+299.36 грн
3000+298.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d6n04cl-d.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d6n04cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 78.9A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : ONSEMI nvmts0d6n04cl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 554.5A; Idm: 900A; 122.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 554.5A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122.7W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 420µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 126nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.