Продукція > ONSEMI > NVMTS0D6N04CTXG
NVMTS0D6N04CTXG

NVMTS0D6N04CTXG onsemi

nvmts0d6n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+633.30 грн
10+437.52 грн
100+356.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D6N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS0D6N04CTXG за ціною від 292.34 грн до 672.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi NVMTS0D6N04C-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 378A, 0.48mohm
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+672.28 грн
10+474.73 грн
100+343.75 грн
500+342.98 грн
1000+313.83 грн
3000+292.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d6n04c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 76A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d6n04c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d6n04c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 76A 8-Pin TDFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi nvmts0d6n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D6N04CTXG Виробник : ONSEMI nvmts0d6n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 533A; Idm: 900A; 122.7W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 533A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 122.7W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 480µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 187nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.