Продукція > ONSEMI > NVMTS0D6N04CTXG
NVMTS0D6N04CTXG

NVMTS0D6N04CTXG onsemi


NVMTS0D6N04C_D-2319693.pdf Виробник: onsemi
MOSFET T6 40V SG PQFN8*8 EXPANSION
на замовлення 2950 шт:

термін постачання 1252-1261 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+590.58 грн
10+ 500.61 грн
25+ 432 грн
100+ 362.43 грн
250+ 360.44 грн
500+ 320.03 грн
1000+ 293.52 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D6N04CTXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS0D6N04CTXG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor on_semiconductor_onsm-s-a0008936118-1-1750414.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 378A, 0.48m
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d6n04c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 76A Automotive 8-Pin DFNW EP T/R
товар відсутній
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi nvmts0d6n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMTS0D6N04CTXG NVMTS0D6N04CTXG Виробник : onsemi nvmts0d6n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 533A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 533A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній