Продукція > ONSEMI > NVMTS0D7N04CLTXG
NVMTS0D7N04CLTXG

NVMTS0D7N04CLTXG onsemi

nvmts0d7n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: AFSM T6 40V LL NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+386.7 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D7N04CLTXG onsemi

Description: AFSM T6 40V LL NCH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS0D7N04CLTXG за ціною від 372.94 грн до 727.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMTS0D7N04CLTXG NVMTS0D7N04CLTXG Виробник : onsemi nvmts0d7n04cl-d.pdf Description: AFSM T6 40V LL NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Ta), 433A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.63mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12238 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+727.89 грн
10+ 600.53 грн
100+ 500.43 грн
500+ 414.38 грн
1000+ 372.94 грн
NVMTS0D7N04CLTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d7n04cl-d.pdf
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)