Продукція > ONSEMI > NVMTS0D7N04CTXG
NVMTS0D7N04CTXG

NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI

2711443.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+513.61 грн
50+431.21 грн
100+355.85 грн
250+348.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMTS0D7N04CTXG за ціною від 278.49 грн до 747.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG onsemi nvmts0d7n04c-d.pdf MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.12 грн
10+441.57 грн
25+364.99 грн
100+319.98 грн
250+316.47 грн
500+304.51 грн
1000+278.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI 2711443.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+747.44 грн
5+630.94 грн
10+513.61 грн
50+431.21 грн
100+355.85 грн
250+348.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG ONN nvmts0d7n04c-d.pdf
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG nvmts0d7n04c-d.pdf
NVMTS0D7N04CTXG
Виробник: onsemi
MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.12 грн
10+441.57 грн
25+364.99 грн
100+319.98 грн
250+316.47 грн
500+304.51 грн
1000+278.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG 2711443.pdf
NVMTS0D7N04CTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+747.44 грн
5+630.94 грн
10+513.61 грн
50+431.21 грн
100+355.85 грн
250+348.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG nvmts0d7n04c-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.