Продукція > ONSEMI > NVMTS0D7N04CTXG
NVMTS0D7N04CTXG

NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI

nvmts0d7n04c-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 273W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+448.41 грн
50+363.39 грн
100+294.20 грн
250+291.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D7N04CTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 430A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 273W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 273W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 570µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NVMTS0D7N04CTXG за ціною від 276.73 грн до 565.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG Виробник : onsemi nvmts0d7n04c-d.pdf MOSFETs AFSM T6 40V SG NCH
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+562.55 грн
10+438.79 грн
25+362.69 грн
100+317.96 грн
250+314.47 грн
500+302.59 грн
1000+276.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG Виробник : ONSEMI nvmts0d7n04c-d.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 430 A, 670 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 430A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 273W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 670µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+565.81 грн
5+507.11 грн
10+448.41 грн
50+363.39 грн
100+294.20 грн
250+291.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG Виробник : ONN nvmts0d7n04c-d.pdf
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG Виробник : onsemi nvmts0d7n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N04CTXG NVMTS0D7N04CTXG Виробник : onsemi nvmts0d7n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 51A/430A 8DFNW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.