Продукція > ONSEMI > NVMTS0D7N06CLTXG
NVMTS0D7N06CLTXG

NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI

2711444.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 124W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+610.14 грн
50+528.38 грн
100+452.50 грн
250+443.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 464A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 124W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMTS0D7N06CLTXG за ціною від 443.34 грн до 899.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMTS0D7N06CLTXG NVMTS0D7N06CLTXG ONSEMI 2711444.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+874.10 грн
5+742.53 грн
10+610.14 грн
50+528.38 грн
100+452.50 грн
250+443.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG NVMTS0D7N06CLTXG onsemi nvmts0d7n06cl-d.pdf Description: AFSM T6 60V LL NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+899.97 грн
10+603.82 грн
100+487.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG 2711444.pdf
NVMTS0D7N06CLTXG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 720 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 720µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 16300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+874.10 грн
5+742.53 грн
10+610.14 грн
50+528.38 грн
100+452.50 грн
250+443.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CLTXG nvmts0d7n06cl-d.pdf
NVMTS0D7N06CLTXG
Виробник: onsemi
Description: AFSM T6 60V LL NCH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+899.97 грн
10+603.82 грн
100+487.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.