NVMTS0D7N06CLTXG onsemi
Виробник: onsemiDescription: AFSM T6 60V LL NCH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 545.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMTS0D7N06CLTXG onsemi
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 464A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 124W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 124W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVMTS0D7N06CLTXG за ціною від 387.09 грн до 908.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMTS0D7N06CLTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 124W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 550µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 16355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMTS0D7N06CLTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CLTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 464A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 16355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVMTS0D7N06CLTXG | Виробник : onsemi |
Description: AFSM T6 60V LL NCH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.2A (Ta), 477A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.68mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVMTS0D7N06CLTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs AFSM T6 60V LL NCH |
на замовлення 4449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVMTS0D7N06CLTXG | Виробник : ONSEMI |
NVMTS0D7N06CLTXG SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |