Продукція > ONSEMI > NVMTS0D7N06CTXG
NVMTS0D7N06CTXG

NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI

2785854.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+669.07 грн
50+553.66 грн
100+459.67 грн
250+450.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D7N06CTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 464A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 294.6W, Bauform - Transistor: DFNW, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVMTS0D7N06CTXG за ціною від 450.86 грн до 1123.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS0D7N06CTXG NVMTS0D7N06CTXG Виробник : ONSEMI 2785854.pdf Description: ONSEMI - NVMTS0D7N06CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 464 A, 550 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 464A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 294.6W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1123.97 грн
5+847.26 грн
10+669.07 грн
50+553.66 грн
100+459.67 грн
250+450.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d7n06c-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG NVMTS0D7N06CTXG Виробник : onsemi nvmts0d7n06c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60.5A (Ta), 464A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 294.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11535 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS0D7N06CTXG NVMTS0D7N06CTXG Виробник : onsemi NVMTS0D7N06C_D-2319560.pdf MOSFETs AFSM T6 60V SG NCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.