Продукція > ONSEMI > NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG

NVMTS1D0N04CLTXG onsemi

nvmts1d0n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+178.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS1D0N04CLTXG onsemi

Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS1D0N04CLTXG за ціною від 161.47 грн до 437.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS1D0N04CLTXG NVMTS1D0N04CLTXG Виробник : onsemi nvmts1d0n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.80 грн
10+283.00 грн
100+204.51 грн
500+161.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D0N04CLTXG Виробник : onsemi NVMTS1D0N04CL_D-3006557.pdf MOSFETs T6 40V LL AIZU, SINGLE NCH, PQFN 8X8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.