Продукція > ONSEMI > NVMTS1D2N08H
NVMTS1D2N08H

NVMTS1D2N08H onsemi

nvmts1d2n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.70 грн
10+332.04 грн
100+247.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS1D2N08H onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS1D2N08H за ціною від 197.79 грн до 498.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS1D2N08H NVMTS1D2N08H Виробник : onsemi NVMTS1D2N08H-D.PDF MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms
на замовлення 2278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.04 грн
10+359.19 грн
100+232.16 грн
500+218.41 грн
1000+214.59 грн
3000+197.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08H Виробник : ON Semiconductor nvmts1d2n08h-d.pdf N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08H NVMTS1D2N08H Виробник : onsemi nvmts1d2n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D2N08H Виробник : ONSEMI nvmts1d2n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 150W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 147nC
On-state resistance: 1.1mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 337A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.