NVMTS1D2N08H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 196.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMTS1D2N08H onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMTS1D2N08H за ціною від 201.13 грн до 530.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMTS1D2N08H | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
NVMTS1D2N08H | onsemi |
MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms |
на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| NVMTS1D2N08H | ONN |
|
на замовлення 1420 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMTS1D2N08H |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.5A (Ta), 337A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 147 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 478.65 грн |
| 10+ | 311.30 грн |
| 100+ | 231.79 грн |
| NVMTS1D2N08H |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms
MOSFETs 80V 337A 1.1mOhms
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 530.84 грн |
| 10+ | 353.42 грн |
| 100+ | 223.64 грн |
| 500+ | 213.79 грн |
| 1000+ | 201.13 грн |
| NVMTS1D2N08H |
|
Виробник: ONN
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.