Продукція > ONSEMI > NVMTS1D5N08H
NVMTS1D5N08H

NVMTS1D5N08H onsemi

nvmts1d5n08h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.83 грн
10+273.25 грн
100+215.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS1D5N08H onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 273A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 258W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS1D5N08H за ціною від 189.39 грн до 442.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS1D5N08H NVMTS1D5N08H Виробник : onsemi NVMTS1D5N08H_D-1814572.pdf MOSFETs T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE
на замовлення 2207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.80 грн
10+306.50 грн
100+199.32 грн
500+189.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08H Виробник : ON Semiconductor nvmts1d5n08h-d.pdf Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08H NVMTS1D5N08H Виробник : onsemi nvmts1d5n08h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 490µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8220 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D5N08H Виробник : ONSEMI nvmts1d5n08h-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 273A; Idm: 900A; 129W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 129W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 125nC
On-state resistance: 1.4mΩ
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.