Продукція > ONSEMI > NVMTS1D6N10MCTXG
NVMTS1D6N10MCTXG

NVMTS1D6N10MCTXG onsemi

nvmts1d6n10mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+225.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS1D6N10MCTXG onsemi

Description: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS1D6N10MCTXG за ціною від 212.30 грн до 506.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTS1D6N10MCTXG NVMTS1D6N10MCTXG Виробник : onsemi nvmts1d6n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 58501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.83 грн
10+324.56 грн
100+265.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXG Виробник : onsemi NVMTS1D6N10MC-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.06 грн
10+354.80 грн
100+250.49 грн
1000+245.90 грн
3000+212.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts1d6n10mc-d.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS1D6N10MCTXG Виробник : ONSEMI nvmts1d6n10mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 146W
Case: DFNW8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 273A
Pulsed drain current: 900A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.