Продукція > ONSEMI > NVMTS4D3N15MC
NVMTS4D3N15MC

NVMTS4D3N15MC onsemi

nvmts4d3n15mc-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+218.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS4D3N15MC onsemi

Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 292W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMTS4D3N15MC за ціною від 201.58 грн до 587.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 292W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+405.39 грн
50+332.15 грн
100+265.01 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC onsemi nvmts4d3n15mc-d.pdf Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.05 грн
10+362.31 грн
100+265.00 грн
500+241.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MC NVMTS4D3N15MC ONSEMI 3213466.pdf Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+587.94 грн
5+496.67 грн
10+405.39 грн
50+332.15 грн
100+265.01 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MC onsemi nvmts4d3n15mc-d.pdf MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.85 грн
10+359.07 грн
100+238.23 грн
500+237.53 грн
1000+219.20 грн
3000+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MC 3213466.pdf
NVMTS4D3N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 292W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+405.39 грн
50+332.15 грн
100+265.01 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MC nvmts4d3n15mc-d.pdf
NVMTS4D3N15MC
Виробник: onsemi
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+555.05 грн
10+362.31 грн
100+265.00 грн
500+241.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MC 3213466.pdf
NVMTS4D3N15MC
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 4450 µohm, DFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 292W
Bauform - Transistor: DFNW
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4450µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+587.94 грн
5+496.67 грн
10+405.39 грн
50+332.15 грн
100+265.01 грн
250+259.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTS4D3N15MC nvmts4d3n15mc-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+532.85 грн
10+359.07 грн
100+238.23 грн
500+237.53 грн
1000+219.20 грн
3000+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.