NVMTS4D3N15MC onsemi
Виробник: onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 231.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMTS4D3N15MC onsemi
Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 0.0034 ohm, DFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 165A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 292W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 292W, Bauform - Transistor: DFNW, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVMTS4D3N15MC за ціною від 209.59 грн до 507.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMTS4D3N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 0.0034 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 292W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: DFNW Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0034ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMTS4D3N15MC | Виробник : onsemi |
Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 00 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 165A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVMTS4D3N15MC | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMTS4D3N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 165 A, 0.0034 ohm, DFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 165A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 292W Bauform - Transistor: DFNW Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NVMTS4D3N15MC | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 FOR AUTOMOTIVE |
на замовлення 4629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
NVMTS4D3N15MC | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 150V 21A Automotive 8-Pin DFNW EP Reel |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NVMTS4D3N15MC | Виробник : ONSEMI |
NVMTS4D3N15MC SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |