Продукція > ONSEMI > NVMTSC1D3N08M7TXG
NVMTSC1D3N08M7TXG

NVMTSC1D3N08M7TXG onsemi

nvmtsc1d3n08m7-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 287W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+181.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTSC1D3N08M7TXG onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 348A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 287W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14530 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTSC1D3N08M7TXG за ціною від 174.46 грн до 373.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMTSC1D3N08M7TXG NVMTSC1D3N08M7TXG Виробник : onsemi nvmtsc1d3n08m7-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 46A/348A 8DFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 348A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.1W (Ta), 287W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14530 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+373.65 грн
10+ 301.89 грн
100+ 244.25 грн
500+ 203.75 грн
1000+ 174.46 грн
NVMTSC1D3N08M7TXG Виробник : ON Semiconductor nvmtsc1d3n08m7-d.pdf N Channel Power MOSFET
товар відсутній
NVMTSC1D3N08M7TXG NVMTSC1D3N08M7TXG Виробник : onsemi NVMTSC1D3N08M7_D-2319836.pdf MOSFET PT7 80V DC PQFN8*8 EXPANSION
товар відсутній