Продукція > ONSEMI > NVMTSC4D3N15MC
NVMTSC4D3N15MC

NVMTSC4D3N15MC onsemi

nvmtsc4d3n15mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+201.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTSC4D3N15MC onsemi

Description: PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 165A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA, Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTSC4D3N15MC за ціною від 191.68 грн до 476.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMTSC4D3N15MC NVMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi nvmtsc4d3n15mc-d.pdf Description: PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.45mOhm @ 95A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 292W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 521µA
Supplier Device Package: 8-TDFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6514 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.39 грн
10+318.99 грн
100+257.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC4D3N15MC Виробник : onsemi NVMTSC4D3N15MC-D.PDF MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 150V, 165A, 4.45mohm
на замовлення 3986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+476.66 грн
10+360.07 грн
100+252.78 грн
500+245.14 грн
1000+226.05 грн
3000+191.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC4D3N15MC Виробник : ON Semiconductor nvmtsc4d3n15mc-d.pdf N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMTSC4D3N15MC Виробник : ONSEMI nvmtsc4d3n15mc-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 165A; Idm: 900A; 146W; TDFNW8
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 900A
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TDFNW8
Gate charge: 79nC
On-state resistance: 4.45mΩ
Power dissipation: 146W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 165A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.