Продукція > ONSEMI > NVMYS003N08LHTWG
NVMYS003N08LHTWG

NVMYS003N08LHTWG onsemi

nvmys003n08lh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 183µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3735 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+68.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS003N08LHTWG onsemi

Description: T8 80V LL LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 132A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 137W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 183µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3735 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS003N08LHTWG за ціною від 65.98 грн до 200.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS003N08LHTWG NVMYS003N08LHTWG Виробник : onsemi nvmys003n08lh-d.pdf Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 137W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 183µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3735 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+200.85 грн
10+129.20 грн
100+91.07 грн
500+71.42 грн
1000+65.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS003N08LHTWG Виробник : ONSEMI nvmys003n08lh-d.pdf NVMYS003N08LHTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS003N08LHTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys003n08lh-d.pdf N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS003N08LHTWG NVMYS003N08LHTWG Виробник : onsemi NVMYS003N08LH_D-2037503.pdf MOSFET T8 80V LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.