Продукція > ONSEMI > NVMYS005N10MCLTWG
NVMYS005N10MCLTWG

NVMYS005N10MCLTWG onsemi

nvmys005n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS005N10MCLTWG onsemi

Description: PTNG 100V LL LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS005N10MCLTWG за ціною від 79.84 грн до 276.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS005N10MCLTWG NVMYS005N10MCLTWG Виробник : onsemi nvmys005n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.4A (Ta), 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 192µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.38 грн
10+169.90 грн
25+144.72 грн
100+109.12 грн
250+96.00 грн
500+87.93 грн
1000+79.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS005N10MCLTWG Виробник : ONSEMI nvmys005n10mcl-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; Idm: 736A; 65W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
Pulsed drain current: 736A
Power dissipation: 65W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.