Продукція > ONSEMI > NVMYS006N08LHTWG
NVMYS006N08LHTWG

NVMYS006N08LHTWG onsemi

nvmys006n08lh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS006N08LHTWG onsemi

Description: T8 80V LL LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS006N08LHTWG за ціною від 47.05 грн до 140.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS006N08LHTWG NVMYS006N08LHTWG Виробник : onsemi nvmys006n08lh-d.pdf Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 95µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.78 грн
10+91.32 грн
100+64.28 грн
500+51.16 грн
1000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS006N08LHTWG NVMYS006N08LHTWG Виробник : onsemi NVMYS006N08LH_D-2319931.pdf MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 6.2 mohm, 77 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.77 грн
10+123.83 грн
100+84.77 грн
500+69.42 грн
1000+54.76 грн
3000+51.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS006N08LHTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys006n08lh-d.pdf MOSFET Power, Single N Channel, 80 V, 6.2 m, 77 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.