Продукція > ONSEMI > NVMYS007N10MCLTWG
NVMYS007N10MCLTWG

NVMYS007N10MCLTWG onsemi

nvmys007n10mcl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS007N10MCLTWG onsemi

Description: PTNG 100V LL LFPAK4, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V.

Інші пропозиції NVMYS007N10MCLTWG за ціною від 61.80 грн до 221.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS007N10MCLTWG NVMYS007N10MCLTWG onsemi nvmys007n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.23 грн
10+134.39 грн
25+114.05 грн
100+85.43 грн
250+74.83 грн
500+68.30 грн
1000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS007N10MCLTWG nvmys007n10mcl-d.pdf
NVMYS007N10MCLTWG
Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+221.23 грн
10+134.39 грн
25+114.05 грн
100+85.43 грн
250+74.83 грн
500+68.30 грн
1000+61.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.