Продукція > ONSEMI > NVMYS007N10MCLTWG
NVMYS007N10MCLTWG

NVMYS007N10MCLTWG onsemi

nvmys007n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+65.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS007N10MCLTWG onsemi

Description: PTNG 100V LL LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS007N10MCLTWG за ціною від 64.10 грн до 229.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS007N10MCLTWG NVMYS007N10MCLTWG Виробник : onsemi nvmys007n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 141µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.45 грн
10+139.38 грн
25+118.29 грн
100+88.61 грн
250+77.61 грн
500+70.84 грн
1000+64.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS007N10MCLTWG NVMYS007N10MCLTWG Виробник : onsemi NVMYS007N10MCL-D.PDF MOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 7 mohm, 83 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.