Продукція > ONSEMI > NVMYS011N04CTWG
NVMYS011N04CTWG

NVMYS011N04CTWG onsemi

nvmys011n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.50 грн
6000+22.01 грн
9000+21.32 грн
15000+19.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS011N04CTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS011N04CTWG за ціною від 21.10 грн до 55.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS011N04CTWG NVMYS011N04CTWG Виробник : onsemi nvmys011n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 13A/35A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 20µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
10+43.33 грн
100+35.47 грн
500+28.26 грн
1000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWG NVMYS011N04CTWG Виробник : onsemi NVMYS011N04C-D.PDF MOSFETs 40V 0.9Ohm 322A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.82 грн
10+47.31 грн
100+33.67 грн
500+29.26 грн
1000+26.51 грн
3000+21.48 грн
9000+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys011n04c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 13A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS011N04CTWG Виробник : ONSEMI nvmys011n04c-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 35A; Idm: 173A; 9.1W; LFPAK56
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 173A
Power dissipation: 9.1W
Case: LFPAK56
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.