Продукція > ONSEMI > NVMYS012N10MCLTWG
NVMYS012N10MCLTWG

NVMYS012N10MCLTWG onsemi

nvmys012n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.36 грн
6000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS012N10MCLTWG onsemi

Description: PTNG 100V LL LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS012N10MCLTWG за ціною від 39.63 грн до 162.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS012N10MCLTWG NVMYS012N10MCLTWG Виробник : onsemi nvmys012n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.22 грн
10+62.61 грн
25+56.67 грн
100+47.09 грн
250+44.17 грн
500+42.42 грн
1000+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWG NVMYS012N10MCLTWG Виробник : onsemi NVMYS012N10MCL-D.PDF MOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel 100 V, 12.2 mohm, 52 A
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.15 грн
10+102.75 грн
100+61.48 грн
500+52.16 грн
1000+46.74 грн
3000+39.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys012n10mcl-d.pdf NVMYS012N10MCLTWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.