Продукція > ONSEMI > NVMYS012N10MCLTWG
NVMYS012N10MCLTWG

NVMYS012N10MCLTWG onsemi

nvmys012n10mcl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+41.97 грн
6000+38.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS012N10MCLTWG onsemi

Description: PTNG 100V LL LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS012N10MCLTWG за ціною від 39.12 грн до 159.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS012N10MCLTWG NVMYS012N10MCLTWG Виробник : onsemi NVMYS012N10MCL_D-3150541.pdf MOSFETs PTNG 100V LL LFPAK4
на замовлення 4260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.30 грн
10+95.37 грн
100+63.85 грн
500+54.16 грн
1000+46.31 грн
3000+39.26 грн
9000+39.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWG NVMYS012N10MCLTWG Виробник : onsemi nvmys012n10mcl-d.pdf Description: PTNG 100V LL LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.2mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 77µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1338 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.57 грн
10+95.79 грн
25+80.73 грн
100+59.77 грн
250+51.92 грн
500+47.09 грн
1000+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys012n10mcl-d.pdf NVMYS012N10MCLTWG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS012N10MCLTWG Виробник : ONSEMI nvmys012n10mcl-d.pdf NVMYS012N10MCLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.