Продукція > ONSEMI > NVMYS013N08LHTWG
NVMYS013N08LHTWG

NVMYS013N08LHTWG onsemi


nvmys013n08lh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1088 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.23 грн
10+60.97 грн
100+42.64 грн
500+32.30 грн
1000+29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS013N08LHTWG onsemi

Description: T8 80V LL LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS013N08LHTWG за ціною від 27.62 грн до 112.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS013N08LHTWG NVMYS013N08LHTWG Виробник : onsemi NVMYS013N08LH_D-2319782.pdf MOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.26 грн
10+76.27 грн
100+44.37 грн
500+34.96 грн
1000+31.91 грн
3000+28.04 грн
6000+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS013N08LHTWG NVMYS013N08LHTWG Виробник : onsemi nvmys013n08lh-d.pdf Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.