Продукція > ONSEMI > NVMYS013N08LHTWG
NVMYS013N08LHTWG

NVMYS013N08LHTWG onsemi

nvmys013n08lh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
10+62.30 грн
100+43.57 грн
500+33.01 грн
1000+30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS013N08LHTWG onsemi

Description: T8 80V LL LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS013N08LHTWG за ціною від 29.35 грн до 119.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS013N08LHTWG NVMYS013N08LHTWG Виробник : onsemi NVMYS013N08LH_D-2319782.pdf MOSFETs T8 80V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.30 грн
10+81.05 грн
100+47.16 грн
500+37.15 грн
1000+33.91 грн
3000+29.80 грн
6000+29.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS013N08LHTWG NVMYS013N08LHTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys013n08lh-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 11A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS013N08LHTWG NVMYS013N08LHTWG Виробник : onsemi nvmys013n08lh-d.pdf Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.