Продукція > ONSEMI > NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG

NVMYS014N06CLTWG onsemi

nvmys014n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.64 грн
10+ 47.12 грн
100+ 36.64 грн
500+ 29.15 грн
1000+ 23.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS014N06CLTWG onsemi

Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0125 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm.

Інші пропозиції NVMYS014N06CLTWG за ціною від 21.92 грн до 70.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG Виробник : ONSEMI nvmys014n06cl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0125 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+62.52 грн
500+ 54.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG Виробник : onsemi NVMYS014N06CL_D-2319695.pdf MOSFET 60V 14.5Ohm 42A Single N-Channel
на замовлення 4892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.17 грн
10+ 49.12 грн
100+ 34.74 грн
500+ 30.02 грн
1000+ 24.38 грн
3000+ 22.72 грн
6000+ 21.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG Виробник : ONSEMI nvmys014n06cl-d.pdf Description: ONSEMI - NVMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.0125 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 1893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+70.49 грн
12+ 66.47 грн
100+ 62.52 грн
500+ 54.32 грн
Мінімальне замовлення: 11
NVMYS014N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys014n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys014n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys014n06cl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товар відсутній
NVMYS014N06CLTWG NVMYS014N06CLTWG Виробник : onsemi nvmys014n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A/36A 4LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 25µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній