Продукція > ONSEMI > NVMYS020N08LHTWG
NVMYS020N08LHTWG

NVMYS020N08LHTWG onsemi

nvmys020n08lh-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.62 грн
6000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS020N08LHTWG onsemi

Description: T8 80V LL LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS020N08LHTWG за ціною від 27.07 грн до 86.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS020N08LHTWG NVMYS020N08LHTWG Виробник : onsemi nvmys020n08lh-d.pdf Description: T8 80V LL LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 623 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.74 грн
10+56.02 грн
100+39.00 грн
500+29.42 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS020N08LHTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys020n08lh-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS020N08LHTWG Виробник : ONSEMI nvmys020n08lh-d.pdf NVMYS020N08LHTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS020N08LHTWG NVMYS020N08LHTWG Виробник : onsemi NVMYS020N08LH_D-2319837.pdf MOSFETs T8 80V LL LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.