Продукція > ONSEMI > NVMYS025N06CLTWG
NVMYS025N06CLTWG

NVMYS025N06CLTWG ONSEMI

2850043.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS025N06CLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 24W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції NVMYS025N06CLTWG за ціною від 20.65 грн до 104.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMYS025N06CLTWG NVMYS025N06CLTWG onsemi nvmys025n06cl-d.pdf MOSFETs 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.74 грн
10+58.20 грн
100+33.55 грн
500+26.15 грн
1000+23.75 грн
3000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG NVMYS025N06CLTWG onsemi nvmys025n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+57.95 грн
100+38.34 грн
500+28.06 грн
1000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG NVMYS025N06CLTWG ONSEMI 2850043.pdf Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.43 грн
13+65.62 грн
100+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG ON Semiconductor nvmys025n06cl-d.pdf
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG nvmys025n06cl-d.pdf
NVMYS025N06CLTWG
Виробник: onsemi
MOSFETs 60V 30Ohm 20A Single N-Channel
на замовлення 1413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.74 грн
10+58.20 грн
100+33.55 грн
500+26.15 грн
1000+23.75 грн
3000+20.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG nvmys025n06cl-d.pdf
NVMYS025N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 13µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+95.94 грн
10+57.95 грн
100+38.34 грн
500+28.06 грн
1000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG 2850043.pdf
NVMYS025N06CLTWG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+104.43 грн
13+65.62 грн
100+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS025N06CLTWG nvmys025n06cl-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.