NVMYS1D3N04CTWG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V SL NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: TRENCH 6 40V SL NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 63.68 грн |
6000+ | 59.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS1D3N04CTWG onsemi
Description: TRENCH 6 40V SL NFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMYS1D3N04CTWG за ціною від 60.58 грн до 157.72 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 252A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm |
на замовлення 5307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 252A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 134W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pins productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm |
на замовлення 5307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : onsemi |
Description: TRENCH 6 40V SL NFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : onsemi | MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET |
на замовлення 25750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|