NVMYS1D3N04CTWG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 134W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 145.12 грн |
| 500+ | 133.93 грн |
| 1000+ | 122.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS1D3N04CTWG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 252A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 134W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NVMYS1D3N04CTWG за ціною від 74.28 грн до 221.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 1150 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 252A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1150µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : onsemi |
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET |
на замовлення 25750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : onsemi |
Description: TRENCH 6 40V SL NFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : onsemi |
Description: TRENCH 6 40V SL NFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |