Продукція > ONSEMI > NVMYS1D3N04CTWG
NVMYS1D3N04CTWG

NVMYS1D3N04CTWG onsemi


nvmys1d3n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRENCH 6 40V SL NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+63.68 грн
6000+ 59.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS1D3N04CTWG onsemi

Description: TRENCH 6 40V SL NFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS1D3N04CTWG за ціною від 60.58 грн до 157.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMYS1D3N04CTWG NVMYS1D3N04CTWG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+136.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMYS1D3N04CTWG NVMYS1D3N04CTWG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750074-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 252A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 134W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 134W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pins
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm
на замовлення 5307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+136.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVMYS1D3N04CTWG NVMYS1D3N04CTWG Виробник : onsemi nvmys1d3n04c-d.pdf Description: TRENCH 6 40V SL NFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.91 грн
10+ 113 грн
100+ 89.91 грн
500+ 71.39 грн
1000+ 60.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMYS1D3N04CTWG NVMYS1D3N04CTWG Виробник : onsemi NVMYS1D3N04C_D-2319616.pdf MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 25750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.72 грн
10+ 140.15 грн
100+ 98.56 грн
500+ 94.56 грн
Мінімальне замовлення: 2