Продукція > ONSEMI > NVMYS1D6N04CLT1G
NVMYS1D6N04CLT1G

NVMYS1D6N04CLT1G onsemi


nvmys1d6n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS1D6N04CLT1G onsemi

Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS1D6N04CLT1G за ціною від 53.00 грн до 180.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS1D6N04CLT1G NVMYS1D6N04CLT1G Виробник : onsemi nvmys1d6n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.87 грн
10+111.75 грн
100+76.43 грн
500+57.55 грн
1000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.