Продукція > ONSEMI > NVMYS1D6N04CLTWG
NVMYS1D6N04CLTWG

NVMYS1D6N04CLTWG onsemi


NVMYS1D6N04CL_D-2307177.pdf Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET 40V, 1.07 mohm, 280 A, Single N-Channel LFPAK4 (Pb-Free)
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.44 грн
10+132.30 грн
100+92.19 грн
500+75.81 грн
1000+62.62 грн
3000+58.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS1D6N04CLTWG onsemi

Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS1D6N04CLTWG за ціною від 80.61 грн до 190.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS1D6N04CLTWG NVMYS1D6N04CLTWG Виробник : onsemi nvmys1d6n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.37 грн
10+117.85 грн
100+80.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS1D6N04CLTWG NVMYS1D6N04CLTWG Виробник : onsemi nvmys1d6n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4301 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.