Продукція > ONSEMI > NVMYS2D4N04CTWG
NVMYS2D4N04CTWG

NVMYS2D4N04CTWG onsemi

nvmys2d4n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.40 грн
10+96.71 грн
100+65.59 грн
500+49.03 грн
1000+45.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS2D4N04CTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS2D4N04CTWG за ціною від 41.76 грн до 159.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04CTWG Виробник : onsemi nvmys2d4n04c-d.pdf MOSFETs Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.26 грн
10+102.97 грн
100+60.69 грн
500+48.73 грн
1000+44.84 грн
3000+41.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys2d4n04c-d.pdf
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04CTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys2d4n04c-d.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWG Виробник : ONSEMI nvmys2d4n04c-d.pdf NVMYS2D4N04CTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D4N04CTWG NVMYS2D4N04CTWG Виробник : onsemi nvmys2d4n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A/138A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 138A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.