Продукція > ONSEMI > NVMYS2D4N04CTWG

NVMYS2D4N04CTWG onsemi

Виробник: onsemi
MOSFETs Power Mosfet 40V 2.4ohm 130A

на замовлення 2875 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVMYS2D4N04CTWG onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56, Drain current: 138A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: LFPAK56, On-state resistance: 2.3mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 829A, Power dissipation: 27W, Gate charge: 32nC, Polarisation: unipolar.

Інші пропозиції NVMYS2D4N04CTWG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
	NVMYS2D4N04CTWG	ONSEMI	Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56 Drain current: 138A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape Case: LFPAK56 On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 829A Power dissipation: 27W Gate charge: 32nC Polarisation: unipolar	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.

NVMYS2D4N04CTWG

Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56
Drain current: 138A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: LFPAK56
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 829A
Power dissipation: 27W
Gate charge: 32nC
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.