Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS2D4N04CTWG onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 138A; Idm: 829A; 27W; LFPAK56, Drain current: 138A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: reel; tape, Case: LFPAK56, On-state resistance: 2.3mΩ, Mounting: SMD, Pulsed drain current: 829A, Power dissipation: 27W, Gate charge: 32nC, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції NVMYS2D4N04CTWG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NVMYS2D4N04CTWG | ON Semiconductor |
на замовлення 2386 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVMYS2D4N04CTWG |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)