Продукція > ONSEMI > NVMYS2D9N04CLTWG
NVMYS2D9N04CLTWG

NVMYS2D9N04CLTWG onsemi

nvmys2d9n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+37.38 грн
6000+35.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS2D9N04CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS2D9N04CLTWG за ціною від 38.94 грн до 145.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMYS2D9N04CLTWG NVMYS2D9N04CLTWG Виробник : onsemi nvmys2d9n04cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27A/110A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.47 грн
10+85.06 грн
100+57.24 грн
500+42.54 грн
1000+38.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D9N04CLTWG NVMYS2D9N04CLTWG Виробник : onsemi NVMYS2D9N04CL_D-2319820.pdf MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.91 грн
10+129.44 грн
100+90.49 грн
500+75.04 грн
1000+61.43 грн
3000+55.99 грн
6000+53.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D9N04CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys2d9n04cl-d.pdf
на замовлення 258000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS2D9N04CLTWG Виробник : ONSEMI nvmys2d9n04cl-d.pdf NVMYS2D9N04CLTWG SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.