Продукція > ONSEMI > NVMYS3D3N06CLTWG
NVMYS3D3N06CLTWG

NVMYS3D3N06CLTWG onsemi

nvmys3d3n06cl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS3D3N06CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc), FET Type: N-Channel, Packaging: Tape & Reel (TR), Grade: Automotive, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V.

Інші пропозиції NVMYS3D3N06CLTWG за ціною від 49.38 грн до 169.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NVMYS3D3N06CLTWG NVMYS3D3N06CLTWG onsemi nvmys3d3n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.68 грн
10+105.07 грн
100+71.56 грн
500+53.70 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVMYS3D3N06CLTWG nvmys3d3n06cl-d.pdf
NVMYS3D3N06CLTWG
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 26A/133A 4LFPAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+169.68 грн
10+105.07 грн
100+71.56 грн
500+53.70 грн
1000+49.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.