
NVMYS3D5N04CTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.38 грн |
10+ | 69.42 грн |
100+ | 48.75 грн |
500+ | 37.09 грн |
1000+ | 34.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS3D5N04CTWG onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMYS3D5N04CTWG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMYS3D5N04CTWG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
NVMYS3D5N04CTWG | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NVMYS3D5N04CTWG | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NVMYS3D5N04CTWG | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |